发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 明之目的系提供一种谋求抑制导线连接不良之半导体装置。该半导体装置具有:具有排列配置于主面3a之外周部之复数个引脚3h之封装基板3、搭载于封装基板3之主面3a的引脚列内侧之半导体晶片1、连接半导体晶片1之接垫1c和基板之引脚3h之导线4、树脂密封半导体晶片1及复数导线4之密封体、及设置于封装基板3之背面之复数之焊料凸块。进而,藉由将导线4之回圈之顶点4b配置于导线连接部4a之外侧,可增长引脚3h与半导体晶片1之接垫1c连接时之导线长度,其结果可谋求导线4之回圈形状之稳定,抑制导线连接不良。
申请公布号 TWI531016 申请公布日期 2016.04.21
申请号 TW102125650 申请日期 2006.12.04
申请人 瑞萨电子股份有限公司 发明人 岛贯好彦
分类号 H01L21/60(2006.01);H01L25/04(2014.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项 一种半导体装置之制造方法,其包含以下步骤:(a)准备第一半导体晶片之步骤,该第一半导体晶片包括:平面形状为矩形之第一主表面、与上述第一主表面为相对侧之第一背表面、及以沿着上述第一主表面之第一主表面边之方式而配置在上述第一主表面之复数个第一接垫;(b)层积第二半导体晶片之步骤,该第二半导体晶片包括:平面形状为矩形之第二主表面、与上述第二主表面为相对侧之第二背表面、及以沿着上述第二主表面之第二主表面边之方式而设置在上述第二主表面之复数个第二接垫,且将该第二半导体晶片以位于比包含上述复数个第一接垫之端子列更靠近上述第一半导体晶片之内侧且上述第二背表面系与上述第一半导体晶片之上述第一主表面对向之方式,层积于上述第一半导体晶片之上述第一主表面;(c)将上述第二半导体晶片之上述复数个第二接垫与上述第一半导体晶片之上述复数个第一接垫经由复数之第一导线而分别电性连接之步骤;及(d)以树脂密封上述第一半导体晶片、上述第二半导体晶片及上述复数之第一导线,藉此形成密封体之步骤,该密封体包括位于上述第二半导体晶片之上述第二主表面侧之表面;于此,将上述第一导线之第一部分与上述第一半导体晶片之上述第一接垫连接之后,将上述第一导线之与上述第一部分不同之第二部分与上述第二半导体晶片之上述第二接垫连接,藉此形成上述复数之第一导线之每一者,且 上述复数之第一导线之每一者系形成为使得上述复数之第一导线之每一者之一部分位于比上述第一导线之上述第一部分更靠近上述第一半导体晶片之上述第一主表面之上述第一主表面边侧处。
地址 日本