一种生长外延片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种生长外延片的制备方法，包括步骤：在100nm的N型铝镓氮生长时，获取第一温度，所述第一温度为N型铝镓氮的生长温度；计算温差，将有源层生长温度调整为第二温度，所述第二温度为正常生长的炉次标准温度设定的原有源层生长温度与温差的和；升高温度至710℃-820℃，生长掺铟的氮化镓阱层，升高温度至850℃-1000℃生长掺杂氮化镓垒层，形成有源层。本发明监控N型铝镓氮生长时的基底表面温度，分析出调整波长的幅度，调整有源层的温度，从而达到控制波长的目的，提高芯片波长的良率。

主权项

一种生长外延片的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、在100nm的N型铝镓氮生长时，获取第一温度，所述第一温度为N型铝镓氮的本炉次生长温度；B、计算温差，所述温差为所述第一温度与上炉次的N型铝镓氮生长温度的差值的一半；C、将本炉次有源层生长温度调整为第二温度，所述第二温度为正常生长的炉次标准温度与温差的和；D、升高温度至710℃‑820℃，生长掺铟的氮化镓阱层，升高温度至850℃‑1000℃生长掺杂氮化镓垒层，形成有源层。