发明名称 |
TFT基板的制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种TFT基板的制作方法,首先在基板上制作像素电极、数据线和源/漏极,然后再制作沟道保护层和氧化物半导体层;或者首先在基板上制作一层缓冲层,避免氧化物半导体层跟基板直接接触影响TFT特性,然后在源/漏极制作完成后直接制作氧化物半导体层,省去一层蚀刻阻挡层,从而可避免制作源/漏极的蚀刻制程对氧化物半导体层造成的损伤;并通过在制作公共电极的同时制作覆盖于栅极表面的保护层,以保护栅极不被腐蚀,进而可省去一层绝缘保护层的制作;从而有效简化了制程,提高了TFT基板的信赖性。 |
申请公布号 |
CN105514034A |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201610020660.5 |
申请日期 |
2016.01.13 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
徐向阳 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市德力知识产权代理事务所 44265 |
代理人 |
林才桂 |
主权项 |
一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供基板(1),在所述基板(1)上沉积第一透明导电层,对所述第一透明导电层进行图案化处理,形成像素电极(2);步骤2、在所述基板(1)、像素电极(2)上沉积第一金属层,对所述第一金属层进行图案化处理,形成源/漏极(3)、数据线(31),所述数据线(31)具有形成于基板(1)的周边区域的数据线端子(312);步骤3、在所述基板(1)、像素电极(2)、源/漏极(3)、数据线(31)上沉积沟道保护层(4);在所述沟道保护层(4)上对应所述源/漏极(3)上方形成第一过孔(41);步骤4、在所述沟道保护层(4)、源/漏极(3)上沉积氧化物半导体层,对所述氧化物半导体层进行图案化处理,形成有源层(5);所述有源层(5)经由所述第一过孔(41)与所述源/漏极(3)相接触;步骤5、在所述沟道保护层(4)、有源层(5)上沉积栅极绝缘层(6);步骤6、在所述栅极绝缘层(6)上沉积第二金属层,对所述第二金属层进行图案化处理,形成栅极(7)、及栅极扫描线(71),所述栅极扫描线(71)具有形成于基板(1)的周边区域的扫描线端子(712);在所述沟道保护层(4)、及栅极绝缘层(6)上对应所述数据线端子(312)上方形成第二过孔(8);步骤7、在所述栅极绝缘层(6)、栅极(7)、及栅极扫描线(71)上沉积第二透明导电层,对所述第二透明导电层进行图案化处理,形成公共电极(9)、分别覆盖于栅极(7)与栅极扫描线(71)上方的保护层(91)、以及经由所述第二过孔(8)与所述数据线端子(312)相接触的连接导线(92)。 |
地址 |
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