| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括：形成衬底，所述衬底中形成有硬掩模；在所述衬底上形成第一刻蚀停止层；在所述第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层；在所述第二刻蚀停止层上形成介质层；对所述介质层进行刻蚀以形成接触孔，所述刻蚀在接触孔露出所述硬掩模表面时停止。本发明能够避免第一插塞与栅极之间短路现象的出现，能够有效的扩大接触孔刻蚀工艺的窗口，提高器件制造过程中的良品率，降低器件制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105514027A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201410553884.3 | 申请日期 | 2014.10.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 郑二虎;张翼英 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底中形成有硬掩模；在所述基底上形成第一刻蚀停止层；在所述第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层；在所述第二刻蚀停止层上形成介质层；以所述第一刻蚀停止层和所述第二刻蚀停止层作为停止层对所述介质层进行刻蚀，以形成能露出所述硬掩模表面的接触孔；向所述接触孔中填充导电材料，以形成第一插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||