| 发明名称 | 发光二极管芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 详述了一种发光二极管芯片，其包括n导电区（1）、p导电区（2）、处于n导电区（1）与p导电区（2）之间的有源区（3）、处于p导电区（2）的远离有源区（3）的那侧处的镜面层（4）、以及被形成为具有电绝缘材料的绝缘层（5），其中镜面层（4）被设计成反射在有源区（3）中产生的电磁辐射，并且镜面层（4）具有穿孔（41），其中，镜面层（4）的侧面区域（4a）在穿孔（41）的区域中完全被绝缘层（5）覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN103098235B | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201180043421.7 | 申请日期 | 2011.08.11 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 卢茨·赫佩尔 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I;H01L33/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王萍;李春晖 |
| 主权项 | 一种发光二极管芯片，包括：‑n导电区(1)；‑p导电区(2)；‑有源区(3)，所述有源区(3)处于所述n导电区(1)与p导电区(2)之间；‑镜面层(4)，所述镜面层(4)处于所述p导电区(2)的远离所述有源区(3)的那侧；以及‑绝缘层(5)，所述绝缘层(5)被形成为具有电绝缘材料，其中‑所述镜面层(4)被设计成反射在所述有源区(3)中产生的电磁辐射；以及‑所述镜面层(4)具有穿孔(41)，其中，所述镜面层(4)的侧面区域(4a)在所述穿孔(41)的区域中完全被所述绝缘层(5)覆盖，其中，所述镜面层(4)的其余外部区域没有所述绝缘层(5)，并且其中所述绝缘层不在竖直方向上突出超过所述镜面层。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||