| 发明名称 | 空穴注入层以及空穴传输层 | ||
| 摘要 | 本发明涉及空穴注入层或空穴传输层。所述空穴注入层由有机电子用材料形成，所述有机电子用材料为至少含有离子化合物和具有空穴传输性单元的化合物的有机电子用材料，所述具有空穴传输性单元的化合物以下称为空穴传输性化合物，其特征在于，所述离子化合物由抗衡阳离子和抗衡阴离子组成，所述抗衡阳离子为H<sup>+</sup>、碳阳离子、氮阳离子、氧阳离子和具有过渡金属的阳离子中的任1种或2种以上。 | ||
| 申请公布号 | CN105514272A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201510426783.4 | 申请日期 | 2010.09.30 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 舟生重昭;石塚健一;星阳介 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I;C08G65/18(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;C08G73/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 金鲜英;王未东 |
| 主权项 | 一种空穴注入层，其由有机电子用材料形成，所述有机电子用材料为至少含有离子化合物和具有空穴传输性单元的化合物的有机电子用材料，所述具有空穴传输性单元的化合物以下称为空穴传输性化合物，其特征在于，所述离子化合物由抗衡阳离子和抗衡阴离子组成，所述抗衡阳离子为H<sup>+</sup>、碳阳离子、氮阳离子、氧阳离子和具有过渡金属的阳离子中的任1种或2种以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||