发明名称 实用半导体晶圆加热氧化仪
摘要 本实用新型公开了实用半导体晶圆加热氧化仪,包括进口端、氧化箱、支架、传送带、出口端、散热扇、计时器、温度计、氧气传输管、气体流量计、氧气填充装置和搁物架,所述的氧化箱一端为进口端,氧化箱另一端为出口端,前盖与进口端铰链,后盖与出口端连接,氧化箱底端设有支架,氧化箱由预热腔、加热腔和散热腔组成,氧化箱内设有传送带,传送带上设有搁物架,氧气填充装置通过氧气传输管与加热腔连通,氧气传输管上设有气体流量计,散热腔内壁顶端设有散热扇,氧化箱上设有计时器和温度计。本实用新型避免热量散失,提高加热氧化效率,可以避免放置拿取晶圆时烫伤手,调整加热时间,达到合适的氧化效果,结构简单,使用方便,利于推广。
申请公布号 CN205177795U 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201520878015.8 申请日期 2015.11.06
申请人 何景瓷 发明人 何景瓷
分类号 H01L21/67(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 代理人 方惠春
主权项 实用半导体晶圆加热氧化仪,包括进口端、氧化箱、支架、传送带、出口端、散热扇、计时器、温度计、氧气传输管、气体流量计、氧气填充装置和搁物架, 其特征在于,所述的氧化箱一端为进口端,氧化箱另一端为出口端,前盖与进口端铰链,后盖与出口端连接,氧化箱底端设有支架,氧化箱由预热腔、加热腔和散热腔组成,氧化箱内设有传送带,传送带上设有搁物架,氧气填充装置通过氧气传输管与加热腔连通,氧气传输管上设有气体流量计,散热腔内壁顶端设有散热扇,氧化箱上设有计时器和温度计。
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