| 发明名称 |
半导体结构及其形成方法 |
| 摘要 |
明的实施例提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括：一金属闸极结构，形成在一基板上方并且具有弯曲侧壁；以及间隙物，形成在该金属闸极结构的该弯曲侧壁上，其中，该金属闸极结构的该弯曲侧壁具有顶部分、中间部分和底部分，并且该金属闸极结构的该弯曲侧壁的该中间部分和该底部分之间的角度小于180度。
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| 申请公布号 |
TW201614839 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW104132364 |
申请日期 |
2015.10.01 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
郑楷黎;张哲诚 |
| 分类号 |
H01L29/772(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种半导体结构，包括：一金属闸极结构，形成在一基板上方并且具有弯曲侧壁；以及间隙物，形成在该金属闸极结构的该弯曲侧壁上；其中，该金属闸极结构的该弯曲侧壁具有顶部分、中间部分和底部分，并且该金属闸极结构的该弯曲侧壁的该中间部分和该底部分之间的角度小于180度。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
