发明名称 |
非挥发性记忆体装置及操作其之方法 |
摘要 |
非挥发性记忆体装置的操作方法可包含抹除内含在一记忆体区块的复数个串中的记忆胞,其中所述记忆胞被耦接在一位元线以及一共同的源极线之间。所述非挥发性记忆体装置的操作方法可包含对于在所述记忆胞中的具有一低抹除速度的所选的记忆胞执行一抹除验证操作。所述非挥发性记忆体装置的操作方法可包含重复所述记忆胞的抹除以及所述抹除验证操作的执行,直到所述抹除验证操作通过为止。
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申请公布号 |
TW201614662 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
申请号 |
TW104107180 |
申请日期 |
2015.03.06 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
李东训 |
分类号 |
G11C16/14(2006.01);G11C16/24(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/14(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
主权项 |
一种非挥发性记忆体装置的操作方法,所述操作方法包括:抹除内含在一记忆体区块的复数个串中的记忆胞,其中所述记忆胞被耦接在一位元线以及一共同的源极线之间;对于在所述记忆胞中的具有一低抹除速度的所选的记忆胞执行一抹除验证操作;以及重复所述记忆胞的所述抹除以及所述抹除验证操作的所述执行,直到所述抹除验证操作通过为止。
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地址 |
南韩 |