发明名称 陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO<sub>2</sub>传感器的制备方法
摘要 本发明公开了一种陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO<sub>2</sub>传感器的制备方法,包括陶瓷基片的清洗、称量V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>粉末、单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒、制备陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件的步骤,本发明中所用的陶瓷基底表面粗糙,且成本低,易于大面积制备氧化钒纳米棒。陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件,结构简单,制备成本低省时且工序简便,可实现室温工作。进而制作出一种可在室温条件下检测NO<sub>2</sub>气体且具有高灵敏度、快速响应恢复时间、可重复测试的气敏传感器元件。
申请公布号 CN105486723A 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201510807930.2 申请日期 2015.11.19
申请人 天津大学 发明人 梁继然;李文娇;刘俊峰;杨然
分类号 G01N27/04(2006.01)I 主分类号 G01N27/04(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 宋洁瑾
主权项 一种陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO<sub>2</sub>传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)陶瓷基片的清洗:将陶瓷片基底分别在丙酮和乙醇中超声清洗5~20min,以除去陶瓷基片表面的油污、有机物杂质和表面氧化层,清洗完后取出陶瓷基片并用吸尔球吹去基片表面的液体,吸完液体之后放于滤纸上并于60~80℃的真空干燥箱中干燥5‑10min备用;(2)称量V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>粉末:称量V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>粉末备用;(3)单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒:将步骤(2)的V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>粉末蒸发源均匀铺于步骤(1)的陶瓷基片上,并整体放入石英管中,然后在盛放V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>粉末陶瓷基片的旁边氩气流方向放置一片步骤(1)的陶瓷基片,将石英管整体放入可编程式高温真空管式炉设备中,通过控制单一变量法设置改变工作温度850~1000℃以改变氧化钒纳米棒的表面形貌;(4)制备陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件:将步骤(3)中得到的陶瓷基氧化钒纳米棒置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,利用掩膜在在陶瓷基氧化钒纳米棒表面沉积一对铂点电极,制成可用于室温检测NO<sub>2</sub>的气敏传感器元件。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号