| 发明名称 | 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有若干相互间隔的具有顶角的功能区；步骤S2：在所述MEMS晶圆上形成图案化的掩膜层，以覆盖所述功能区和所述功能区顶角处周围的区域；步骤S3：选用粘结胶填充所述掩膜层中的空隙，以用于接合。本发明的优点在于：1、通过图形设计，防止MEMS像素区受到损坏(Damage)。2、提高了产品的良率(Yield)。 | ||
| 申请公布号 | CN105480938A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201410531380.1 | 申请日期 | 2014.10.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郑超;冯霞;李进 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有若干相互间隔的具有顶角的功能区；步骤S2：在所述MEMS晶圆上形成图案化的掩膜层，以覆盖所述功能区和所述功能区顶角处周围的区域；步骤S3：选用粘结胶填充所述掩膜层中的空隙，以用于接合。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||