| 发明名称 | 选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了可用于从其上具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物材料的微电子器件上相对于绝缘材料而选择性除去所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物材料的组合物。所述清除组合物含有至少一种氧化剂、一种蚀刻剂和一种活化剂以提高氮化钛的蚀刻速率。 | ||
| 申请公布号 | CN105492576A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201480047887.8 | 申请日期 | 2014.08.28 |
| 申请人 | 高级技术材料公司;先进科材股份有限公司 | 发明人 | 埃马纽尔·I·库珀;陈丽敏;斯蒂芬·里皮;许家荣;涂胜宏;王界入 |
| 分类号 | C09K13/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | C09K13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 刘慧;杨青 |
| 主权项 | 从其上具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物材料的微电子器件的表面上选择性去除所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物材料的组合物，所述组合物包含至少一种氧化剂、至少一种活化剂和至少一种溶剂。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||