一种减少键合空洞的图形化方法

摘要

本发明涉及半导体器件制造技术，具体是一种减少键合空洞的图形化方法。本发明解决了现有晶片键合技术易产生键合空洞和过大热应力的问题。一种减少键合空洞的图形化方法，该方法是采用如下步骤实现的：（1）选取GaAs衬底；在GaAs衬底上生长N-GaAs层；在N-GaAs层上生长量子阱层；在量子阱层上生长P-GaP层；（2）在P-GaP层上制作电流扩散层；（3）在电流扩散层上制作欧姆接触层；（4）采用光刻法在欧姆接触层上制作图形；（5）选取基板；在基板上制作材料键合层；（6）在材料键合层上制作材料反射层；（7）将材料反射层与欧姆接触层进行键合；（8）采用化学腐蚀法去掉GaAs衬底。本发明适用于半导体器件的制造。

主权项

一种减少键合空洞的图形化方法，其特征在于：该方法是采用如下步骤实现的：（1）选取GaAs衬底；在GaAs衬底上生长N‑GaAs层；在N‑GaAs层上生长量子阱层；在量子阱层上生长P‑GaP层；（2）在P‑GaP层上制作电流扩散层；（3）在电流扩散层上制作欧姆接触层；（4）采用光刻法在欧姆接触层上制作图形；（5）选取基板；在基板上制作材料键合层；（6）在材料键合层上制作材料反射层；（7）将材料反射层与欧姆接触层进行键合；（8）采用化学腐蚀法去掉GaAs衬底；所述步骤（2）、（3）中，电流扩散层的材料为ITO，电流扩散层的厚度为1000‑3000Å；所述步骤（3）、（4）、（7）中，欧姆接触层的材料为Au/AuBe/Au，欧姆接触层的厚度为15000‑25000Å；所述步骤（4）中，图形的形状为条形，图形的宽度为100‑200μm，图形的间距为10‑30μm，光刻法的步骤依次为：涂光刻胶，曝光，显影，刻蚀，去胶；所述步骤（5）、（6）中，材料键合层的材料为Pt和/或Ti；所述步骤（6）、（7）中，材料反射层的材料为Au；所述步骤（7）中，键合的温度为200‑350℃，键合的时间为50‑250ms；所述步骤（4）中，制作图形完毕后，采用N₂对欧姆接触层进行合金退火处理，合金退火处理的温度为380‑480℃，合金退火处理的时间为10‑30min，N₂的流量为5‑10L。