晶体管及其制造方法

摘要

一种晶体管及其制造方法，所述方法包括下列步骤：提供一基材，基材上形成有两个沟槽，两个沟槽之间定义出一位元线接点，每一个沟槽的一侧定义出一电容接点；设置一介电层于每一个沟槽内；设置一导电材料于每一个介电层上，以形成一栅极结构于每一个沟槽内；注入低剂量的掺杂至基材的位元线接点以及两个电容接点，以形成一漏极区于每一个电容接点；以及，再一次注入低剂量的掺杂至基材的位元线接点，以形成一平区于位元线接点，平区具有实质上均匀分布的掺杂浓度，平区的顶端是高于每一个栅极结构的顶端，平区的底端是低于每一个栅极结构的底端。

主权项

一种晶体管，位于一基材上，其特征在于，该晶体管包括：两个沟槽，形成于所述基材上，在每一个所述沟槽内：一介电层覆盖所述沟槽的内侧表面；以及一栅极结构设置于所述介电层上；一位元线接点，位于两个所述沟槽之间，所述位元线接点包括一平区，所述平区是通过注入低剂量的掺杂至所述基材至少两次所形成；以及两个电容接点，分别位于两个所述沟槽的一侧，每一个电容接点与所述位元线接点分别位于对应的所述沟槽的相对两侧，每一个电容接点包括一漏极区，每一个所述漏极区是通过注入低剂量的掺杂至所述基材一次所形成；其中，所述平区的顶端是高于每一个所述栅极结构的顶端，所述平区的底端是低于每一个所述栅极结构的底端，所述平区具有实质上均匀分布的掺杂浓度，所述平区的掺杂浓度是大于所述位元线接点之中位于所述平区下方的其他区域的掺杂浓度，且所述平区的掺杂浓度是大于每一个所述电容接点的掺杂浓度。