| 发明名称 | 半导体装置用接合线 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，包含总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上，其余量包含Ag和不可避免的杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN105492637A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201580001736.3 | 申请日期 | 2015.05.20 |
| 申请人 | 新日铁住金高新材料株式会社;日铁住金新材料股份有限公司 | 发明人 | 小山田哲哉;宇野智裕;出合博之;小田大造 |
| 分类号 | C22C5/06(2006.01)I;C22F1/14(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I | 主分类号 | C22C5/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘航;段承恩 |
| 主权项 | 一种半导体装置用接合线，其特征在于，包含总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上，其余量包含Ag和不可避免的杂质。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||