一种阈值电压调节方法

摘要

本发明公开了一种阈值电压调节方法，应用于深N阱高压CMOS集成电路的制造过程中，可以在不增加光刻层的前提下，对高压CMOS的阈值电压进行调节，所述方法包括：在形成深N阱高压CMOS集成电路的第一P阱、第二P阱及第三P阱过程中，向所述第一P阱、所述第二P阱及所述第三P阱中注入符合第一预设条件的第一离子，所述第一离子分两次注入，用来对所述高压NMOS和所述高压PMOS的源漏击穿电压和阈值电压进行调节。

主权项

一种阈值电压调节方法，应用于深N阱高压CMOS集成电路的制造过程中，其特征在于，所述方法包括：在形成深N阱高压CMOS集成电路的第一P阱、第二P阱及第三P阱过程中，向所述第一P阱、所述第二P阱及所述第三P阱中注入符合第一预设条件的第一离子，所述第一离子分两次注入，所述两次注入的能量值不同，用来对高压NMOS和高压PMOS的源漏击穿电压和阈值电压进行调节；其中，所述深N阱高压CMOS集成电路至少包含第一P阱、第二P阱、第三P阱和第一N阱、第二N阱、第三N阱，所述第一N阱对应低压PMOS，所述第一P阱对应低压NMOS，所述第二N阱和所述第二P阱对应所述高压NMOS，所述第三N阱和所述第三P阱对应所述高压PMOS；所述向所述第一P阱、所述第二P阱及所述第三P阱中注入符合第一预设条件的第一离子，具体为：向所述第一P阱、所述第二P阱及所述第三P阱中注入能够对所述高压NMOS和所述高压PMOS的源漏击穿电压和阈值电压进行调节的硼离子；所述向所述第一P阱、所述第二P阱及所述第三P阱中注入能够对所述高压NMOS和所述高压PMOS的源漏击穿电压和阈值电压进行调节的硼离子，具体包括：步骤201，向所述第一P阱、所述第二P阱及所述第三P阱中注入能量值为第一能量值的硼离子；步骤202，向所述第一P阱、所述第二P阱及所述第三P阱中注入能量值为第二能量值的硼离子，所述第二能量值大于所述第一能量值；其中，在执行所述步骤201和所述步骤202过程中，所述步骤201在所述步骤202之前；或所述步骤201在所述步骤202之后。