一种多层低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS-TFT）制造方法

摘要

本发明提供一种多层薄膜晶体管组，包括基底，以及位于其上方的低温多晶硅薄膜晶体管，薄膜晶体管的层数大于1，上下层叠层排列。薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、层间绝缘层与多条金属引线。多条金属引线一端分别连接于源极、漏极，另一端由层间绝缘层上表面引出。多条金属引线位于层间绝缘层上表面的部分和栅极遮盖该薄膜晶体管的低温多晶硅层。本发明中金属引线的分布设计保证了对上层TFT的半导体层进行激光晶化时，下层TFT的金属引线和金属电极能够完全遮挡住下层TFT的低温多晶硅层，从而保证下层TFT的低温多晶硅层不会因激光照射而发生损伤。

主权项

一种薄膜晶体管组结构，其特征在于，包括基底，以及位于其上方的低温多晶硅薄膜晶体管，薄膜晶体管的层数大于1，上下层叠层排列；所述薄膜晶体管包括一缓冲层、一低温多晶硅层、一栅极绝缘层、一栅极、一源极、一漏极、一层间绝缘层，以及多条金属引线；层间绝缘层位于缓冲层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极、源极、漏极的上方，多条金属引线一端分别连接于源极、漏极，另一端由层间绝缘层上表面引出，层间绝缘层上表面为层间绝缘层背离薄膜晶体管的一侧表面，且多条金属引线具有位于层间绝缘层上表面的部分；多条金属引线位于层间绝缘层上表面的部分和栅极遮盖低温多晶硅层。