发明名称 |
一种低温厚膜电路浆料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低温厚膜电路浆料及其制备方法,该低温厚膜电路浆料包括质量份为1%-5%无机粘接相、10%-30%有机溶剂载体、65%-85%高纯银粉;无机粘接相包括质量份为40%-60%Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、20%-40%B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、15%-20%ZnO、0.5%-2.5%CuO;有机溶剂载体包括质量份为85%-90%主溶剂、5%-10%增稠剂、1%-5%流平剂、0.5%-1.5%触变剂、0.5%-1%消泡剂;该低温厚膜电路浆料烧结温度低、烧结时间短、电阻值低、附着力好、可焊性好。该制备方法的工艺步骤依次为:制备无机粘接相、制备有机溶剂载体、低温厚膜电路浆料制备;该制备方法能有效制备温厚膜电路浆料。 |
申请公布号 |
CN105469856A |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201510980658.8 |
申请日期 |
2015.12.24 |
申请人 |
东莞佐佑电子科技有限公司 |
发明人 |
张念柏;苏冠贤 |
分类号 |
H01B1/22(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01B1/22(2006.01)I |
代理机构 |
惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 |
代理人 |
鲁慧波 |
主权项 |
一种低温厚膜电路浆料,其特征在于,包括有以下质量份的物料,具体为:无机粘接相 1%‑5%有机溶剂载体 10%‑30%高纯银粉 65%‑85%;其中,无机粘接相包括有以下质量份的物料,具体为:Bi<sub>2</sub>O<sub>3 </sub>40%‑60%B<sub>2</sub>O<sub>3 </sub>20%‑40%ZnO 15%‑20%CuO 0.5%‑2.5%;有机溶剂载体包括有以下质量份的物料,具体为:主溶剂 85%‑90%增稠剂 5%‑10%流平剂 1%‑5%触变剂 0.5%‑1.5%消泡剂 0.5%‑1%;其中,有机溶剂载体中的主溶剂为丁基卡必醇、己二酸二甲酯或者三甘醇二乙酸酯。 |
地址 |
523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区总部二路9号东莞市依时利科技办公楼-研发楼第1层B1-18 |