| 发明名称 | 一种铜互连结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种铜互连结构的制作方法，包括：提供半导体基底；在所述阻挡层上沉积电介质层；进行沟槽和/或接触孔的刻蚀；在所述电介质层上以及沟槽和/或接触孔内壁上沉积阻障层和种晶层；采用无电镀铜的方法填充沟槽和/或接触孔，形成铜金属层。随后，采用化学电镀铜的方法形成铜金属层，使铜金属薄膜达到指定厚度。最后进行铜金属层的化学机械研磨。 | ||
| 申请公布号 | CN103094193B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201110340740.6 | 申请日期 | 2011.11.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;C23C18/38(2006.01)I;C23C18/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种铜互连结构的制作方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上沉积电介质层；进行沟槽和/或接触孔的刻蚀；在所述电介质层上以及沟槽和/或接触孔内壁上沉积阻障层和种晶层；采用无电镀铜的方法填充沟槽和/或接触孔，形成铜金属层，以避免产生空隙，在进行所述无电镀铜的过程中，采用间断电解法保证填充沟槽和/或接触孔的打开。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||