| 发明名称 | 一种改进的压接式IGBT器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改进的压接式IGBT器件，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有IGBT功率子模块；所述IGBT功率子模块包括栅极信号输入端和栅极信号输出端；所述栅极信号输入端和平行于所述下端金属电极的栅极PCB板电气相连；所述栅极信号输出端和平行于所述下端金属电极的辅助发射极PCB板电气相连。本发明提供的技术方案降低了辅助发射极回路的杂散电感和杂散电容，提高了压接式IGBT器件中每个IGBT功率子模块驱动回路参数的一致性，降低了IGBT功率子模块之间发生电流震荡的危险。 | ||
| 申请公布号 | CN105470291A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201510959202.3 | 申请日期 | 2015.12.18 |
| 申请人 | 国网智能电网研究院;国家电网公司;华北电力大学 | 发明人 | 张朋;李金元;温家良;唐新灵;崔翔;赵志斌 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种改进的压接式IGBT器件，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有IGBT功率子模块；所述IGBT功率子模块包括栅极信号输入端和栅极信号输出端；其特征在于：所述栅极信号输入端和平行于所述下端金属电极的栅极PCB板电气相连；所述栅极信号输出端和平行于所述下端金属电极的辅助发射极PCB板电气相连。 | ||
| 地址 | 102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号（未来科技城） | ||