| 发明名称 | 图形化衬底的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种图形化衬底的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一掩膜材料层；在所述第一掩膜材料层上形成多个横截面为预定图形的光刻胶掩膜件；通过多个所述光刻胶掩膜件对所述第一掩膜材料层进行刻蚀，以形成多个横截面为预定图形的第一掩膜件；在每个所述第一掩膜件上形成第二掩膜件，其中，所述第一掩膜件的耐刻蚀度大于所述第二掩膜件的耐刻蚀度，所述第二掩膜件包覆所述第一掩膜件；对形成有所述第一掩膜件和所述第二掩膜件的衬底进行刻蚀，以在所述衬底上形成最终图形。和现有技术采用的单层掩膜相比，本发明通过双层掩膜可以提高衬底图形的形貌控制能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105470353A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201410459272.8 | 申请日期 | 2014.09.09 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 安铁雷 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一掩膜材料层；在所述第一掩膜材料层上形成多个横截面为预定图形的光刻胶掩膜件；通过多个所述光刻胶掩膜件对所述第一掩膜材料层进行刻蚀，以形成多个横截面为预定图形的第一掩膜件；在每个所述第一掩膜件上形成第二掩膜件，其中，所述第一掩膜件的耐刻蚀度大于所述第二掩膜件的耐刻蚀度，所述第二掩膜件包覆所述第一掩膜件；对形成有所述第一掩膜件和所述第二掩膜件的衬底进行刻蚀，以在所述衬底上形成最终图形。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||