一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶处理方法

摘要

本发明提供了一种碳化硅籽晶处理方法，通过在籽晶生长面的背面形成致密的碳硅钇或碳化钇膜涂层来抑制籽晶的背面蒸发，生长出高质量的碳化硅晶体。由于该涂层的耐高温特性、以及材料组成的特殊性，直接抑制了碳化硅晶体背面的升华过程，有效消除了晶体生长过程中由背面蒸发导致的平面六角缺陷，极大地提高了碳化硅晶体质量及产率。

主权项

一种用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的籽晶处理方法，包括：在碳化硅籽晶生长面的背面镀上一层致密涂层，该致密涂层的成分为碳硅钇、或碳化钇、或碳化钇与碳硅钇混合。