| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
体装置包含基板、第一源极/汲极(S/D)、第二S/D以及半导体片单元。基板系延伸于实质水平方向。第一S/D系形成于基板上。第二S/D系位于第一S/D上方。半导体片单元系延伸于实质垂直方向，并且互连第一S/D与第二S/D。
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| 申请公布号 |
TW201613032 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW104108584 |
申请日期 |
2015.03.18 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
吴俊鹏;汤皓玲;王志豪;刘继文;蔡庆威;大藤彻;何炯煦;佘绍煌;谢文兴 |
| 分类号 |
H01L21/8234(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L29/08(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/66(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
冯博生 |
| 主权项 |
一种半导体装置，其包括：一基板，其延伸于实质水平方向；一第一源极/汲极(S/D)，其系形成于该基板上；一第二S/D，其系位于该第一S/D上方；以及一半导体片单元，其延伸于实质垂直方向，并且互连该第一S/D与该第二S/D。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
