| 发明名称 |
有机分子记忆体 |
| 摘要 |
明实施形态之有机分子记忆体，该有机分子记忆体为具备第一导电层、第二导电层、设置在第一导电层与第二导电层之间、含有电阻变化型分子链或电荷累积型分子链、且电阻变化型分子链或电荷累积型分子链具备拉电子基之有机分子层。
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| 申请公布号 |
TWI528366 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW101109862 |
申请日期 |
2012.03.22 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
西泽秀之;服部繁树;寺井胜哉;御子柴智;浅川钢儿;多田宰 |
| 分类号 |
G11C13/02(2006.01);C07C323/09(2006.01);C09B47/04(2006.01) |
主分类号 |
G11C13/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种有机分子记忆体，其特征为具有：第一导电层、第二导电层、及设置在前述第一导电层与前述第二导电层之间之有机分子层；该有机分子层含有电阻变化型分子链，该电阻变化型分子链具备具有拉电子基之芳香环，且前述电阻变化型分子链系选自由4-[2-硝基-5-胺基-4-(苯基乙炔基)苯基乙炔基]苯硫醇(4-[2-nitro-5-amino-4-(phenylethynyl)phenylethynyl]benzenethiol)、4-[2-硝基-5-胺基-4-(苯基乙炔基)苯基乙炔基]苯硫醇之衍生物、4-[4-(苯基乙炔基)苯基乙炔基]苯硫醇、对伸苯基衍生物、寡噻吩衍生物、寡吡咯衍生物、寡呋喃衍生物、及对伸苯基伸乙烯基衍生物所成群者。
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| 地址 |
日本 |
