| 发明名称 |
单晶钻石的制造方法 |
| 摘要 |
明提供在通过气相合成得到的单晶钻石晶种基板上稳定地追加堆积气相合成单晶钻石而制造高质量的单晶钻石的方法。一种在通过气相合成得到的单晶钻石晶种基板上追加堆积气相合成单晶钻石的单晶钻石的制造方法，其特征在于包括：(1)测量晶种基板的平坦度；(2)基于平坦度的测量结果，判定是否进行晶种基板的平坦化；(3)以下两步骤中之一，(3 a)基于判定，对于需要平坦化的晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积气相合成单晶钻石，(3b)基于判定，对于不需要平坦化的晶种基板，不进行平坦化而追加堆积气相合成单晶钻石。
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| 申请公布号 |
TWI527941 |
申请公布日期 |
2016.04.01 |
| 申请号 |
TW103132185 |
申请日期 |
2014.09.18 |
| 申请人 |
独立行政法人产业技术总合研究所;信越化学工业股份有限公司 |
发明人 |
野口仁;竹内大辅;山崎聡;小仓政彦;加藤宙光;牧野俊晴;大串秀世 |
| 分类号 |
C30B25/02(2006.01);C30B25/18(2006.01);C30B29/04(2006.01) |
主分类号 |
C30B25/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;叶璟宗 |
| 主权项 |
一种单晶钻石的制造方法，其为将通过气相合成得到的单晶钻石晶种基板置于CVD装置的基台上而追加堆积气相合成单晶钻石的单晶钻石的制造方法，所述单晶钻石的制造方法的特征在于包括：(1)测量追加堆积所述气相合成单晶钻石之前的所述单晶钻石晶种基板的平坦度的步骤；(2)在所述平坦度的测量结果超过规定值的情况下，判定为需要对所述单晶钻石晶种基板进行平坦化，否则判定为不需要进行平坦化的步骤；(3)以下2个步骤中之一：(3a)基于所述判定，对于需要所述平坦化的所述单晶钻石晶种基板，以使所述基台与所述晶种基板充分接触的方式进行平坦化之后，追加堆积所述气相合成单晶钻石的步骤，(3b)基于所述判定，对于不需要所述平坦化的所述单晶钻石晶种基板，不进行平坦化而追加堆积所述气相合成单晶钻石的步骤。
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| 地址 |
日本;日本 |
