发明名称 发光二极体制造方法
摘要 发光二极体的制造方法,包括如下步骤:提供一衬底,并在所述衬底的一侧形成一磊晶层;沿所述磊晶层的厚度方向蚀刻,使所述磊晶层形成复数晶粒,相邻的晶粒之间形成一贯穿的沟槽;提供复数隔离柱,将所述隔离柱放置在相应的沟槽中,并使其连接相邻的晶粒;在每一晶粒远离衬底的一侧表面上形成一阻障保护层;在每一阻障保护层远离衬底的一侧表面涂设一锡膏层;对所述晶粒进行回流焊,使所述每一晶粒的锡膏层形成锡球;除去衬底并将晶粒放入溶液中浸泡至隔离柱消溶;提供复数金属片体,并通过焊接将这些片体分别焊接在对应晶粒的锡球上。
申请公布号 TWI528578 申请公布日期 2016.04.01
申请号 TW101110704 申请日期 2012.03.28
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 赖志成
分类号 H01L33/00(2010.01) 主分类号 H01L33/00(2010.01)
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体的制造方法,包括如下步骤:提供一衬底,并在所述衬底的一侧形成一磊晶层;沿所述磊晶层的厚度方向进行蚀刻,使所述磊晶层形成复数晶粒,相邻的晶粒之间形成一贯穿的沟槽;提供复数电绝缘的隔离柱,将所述隔离柱放置在相应的沟槽中,并使其连接相邻的晶粒;在每一晶粒远离衬底的一侧表面上形成一阻障保护层;在每一阻障保护层远离衬底的一侧表面涂设一锡膏层;对所述晶粒进行回流焊,使所述每一晶粒的锡膏层形成锡球;除去衬底并将晶粒放入溶液中浸泡至隔离柱消溶;提供复数金属片体,并通过焊接将这些片体分别焊接在对应晶粒的锡球上。
地址 新北市土城区自由街2号