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发明名称 磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリの製造方法
摘要
申请公布号 JP5895610(B2) 申请公布日期 2016.03.30
申请号 JP20120050560 申请日期 2012.03.07
申请人 富士通株式会社 发明人 角田 浩司
分类号 H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08;H01L43/12 主分类号 H01L21/8246
代理机构 代理人
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