| 发明名称 | 电子部件 | ||
| 摘要 | 本发明的各个实施例涉及电子部件。在一个实施例中，半导体器件包括横向晶体管器件，该横向晶体管器件包括上金属化层。上金属化层包括n个细长焊盘区域。n个细长焊盘区域中的相邻细长焊盘区域耦合至横向晶体管器件的不同电流电极。n个细长焊盘区域定界出了横向晶体管的n-1个有源区域，n≥3。 | ||
| 申请公布号 | CN105448875A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510595864.7 | 申请日期 | 2015.09.17 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | O·黑伯伦;R·奥特雷姆巴;G·普雷科托;K·希斯 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括横向晶体管器件，所述横向晶体管器件包括上金属化层，所述上金属化层包括n个细长焊盘区域，所述细长焊盘区域中的相邻细长焊盘区域耦合至所述横向晶体管器件的不同电流电极，所述n个细长焊盘区域定界出了所述横向晶体管的n‑1个有源区域，其中n≥3。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||