| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提高半导体装置的性能。半导体装置包括SOI基板(SB1)以及在SOI基板(SB1)上形成的MISFET(Q1)。SOI基板(SB1)具有基体(SS1)、在基体(SS1)上形成的接地面区域(GP)、在接地面区域(GP)上形成的BOX层(3)以及在BOX层(3)上形成的SOI层(4)。基体(SS1)由硅构成，接地面区域(GP)包括由碳化硅构成的半导体区域(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN105448912A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510617710.3 | 申请日期 | 2015.09.24 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 尾田秀一 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 权太白;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体基板；以及场效应晶体管，形成于所述半导体基板，所述半导体基板具有：第1基体；第1导电类型的第1半导体区域，形成在所述第1基体上或者所述第1基体的上层部；绝缘层，形成在所述第1半导体区域上；以及半导体层，形成在所述绝缘层上，所述第1基体由硅构成，所述第1半导体区域由碳化硅构成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||