一种芯片嵌入式封装结构

摘要

本实用新型公开了一种芯片嵌入式封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体，所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片表面钝化层开口内填充镍/金层，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层Ⅰ，并于所述镍/金层的上表面开设绝缘薄膜层Ⅰ开口，在绝缘薄膜层Ⅰ的上表面形成再布线金属层和绝缘薄膜层Ⅱ，所述再布线金属层通过镍/金层与芯片电极实现电性连接，在再布线金属层的最外层设有输入/输出端，并在输入/输出端处形成连接件，所述薄膜包封体的背面设置硅基加强板。本实用新型实现了减薄产品厚度、提高了产品可靠性并实现了多芯片封装结构。

主权项

一种芯片嵌入式封装结构，其包括上表面附有芯片电极（13）及相应电路布局的芯片单体（10），所述芯片单体（10）的芯片本体（11）的上表面覆盖芯片表面钝化层（15）并开设有芯片表面钝化层开口（151），芯片电极（13）的上表面露出芯片表面钝化层开口（151），其特征在于：还包括薄膜包封体（3），一个或一个以上所述芯片单体（10）由背面嵌入薄膜包封体（3）内，在所述芯片表面钝化层开口（151）内填充先形成镍层再形成金层的镍/金层（17），在所述芯片单体（10）的上表面和薄膜包封体（3）的上表面覆盖绝缘薄膜层Ⅰ（51），并于所述镍/金层（17）的上表面开设绝缘薄膜层Ⅰ开口（511），在绝缘薄膜层Ⅰ（51）的上表面形成再布线金属层（41）和绝缘薄膜层Ⅱ（52），所述再布线金属层（41）填充绝缘薄膜层Ⅰ开口（511），所述再布线金属层（41）通过镍/金层（17）与每一所述芯片电极（13）实现电性连接，并选择性地实现两个以上关联的所述芯片电极之间的电性连接，在再布线金属层（41）的最外层设有输入/输出端（411），所述绝缘薄膜层Ⅱ（52）覆盖再布线金属层（41）并露出输入/输出端（411），在所述输入/输出端（411）处形成连接件（6），所述薄膜包封体（3）的背面设置硅基加强板。