发明名称 |
一种MIS晶体硅太阳能电池 |
摘要 |
本实用新型公开了一种MIS晶体硅太阳能电池,从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、隧穿层、减反膜和Al正电极,Al背场、P型硅、N+层、隧穿层和减反膜为层叠式设置,所述隧穿层沉积在N+层上,所述减反膜沉积于隧穿层上而没沉积在Al正电极上。与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:Al正电极取代传统昂贵的Ag正电极,Al正电极-隧穿层-N+层形成MIS结构,利用MIS隧穿效应,使得N+层硅收集的电子可以完全穿透绝缘的隧穿层和Al正电极接触,从而将电子导出;Al正电极因为有隧穿层的隔离,和N+层无直接接触,不会再次形成p-n结,不会影响电池的转换效率;本实用新型可以大大降低制造成本,提升转换效率。 |
申请公布号 |
CN205122598U |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201520878065.6 |
申请日期 |
2015.11.04 |
申请人 |
广东爱康太阳能科技有限公司 |
发明人 |
石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 |
代理人 |
张伶俐 |
主权项 |
一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、隧穿层、减反膜和Al正电极,Al背场、P型硅、N+层、隧穿层和减反膜为层叠式设置,所述隧穿层沉积在N+层上,所述减反膜沉积于隧穿层上而没沉积在Al正电极上。 |
地址 |
528100 广东省佛山市三水工业园区C区69号 |