| 发明名称 | 晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内壁内且填充满所述凹槽的应力层；在所述应力层表面形成过渡层；在所述过渡层表面形成盖帽层，所述盖帽层的表面高于半导体衬底的表面，且所述盖帽层与过渡层的晶格常数差异小于盖帽层与应力层的晶格常数差异。所述方法可以提高形成的晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105448991A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410440271.9 | 申请日期 | 2014.09.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 涂火金 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内壁内且填充满所述凹槽的应力层；在所述应力层表面形成过渡层；在所述过渡层表面形成盖帽层，所述盖帽层的表面高于半导体衬底的表面，所述盖帽层与过渡层的晶格常数差异小于盖帽层与应力层的晶格常数差异。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||