电力存储装置及其制造方法

摘要

提供一种具有改进循环特性的电力存储装置和制造所述电力存储装置的方法，所述电力存储装置具有与包含硅层的活性材料层表面接触的导电层，在去除活性材料层表面形成的氧化物膜，例如天然氧化物膜之后提供所述导电层。这样提供的所述导电层与包含硅层的活性材料层的表面接触，电力存储装置电极表面的导电性得以改进；因此，可以改进所述电力存储装置的循环特性。

主权项

一种制造电力存储装置的方法，该方法包括以下步骤：形成位于集电器上并与集电器接触的硅化物层；形成位于所述硅化物层上并与所述硅化物层接触的金属氧化物层；形成位于所述金属氧化物层上并与所述金属氧化物层接触的硅层；去除位于所述硅层上并与所述硅层接触的氧化物膜；和形成位于所述硅层上并与所述硅层接触的导电层，其中所述硅层包含须状晶体硅，以及其中所述硅化物层和所述金属氧化物层各自都包含一种或多种以下元素：锆、钛、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、钴和镍。