发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种具有半导体管芯的半导体器件,所述半导体管芯具有多个形成在第一半导体管芯的表面上的凸块。可渗透粘附层形成在临时载体上。粘附层可以包括多个狭槽。通过将凸块嵌入可渗透粘附层中,半导体管芯被安装到载体。半导体管芯和互连结构可以通过间隙分开。密封剂被沉积在第一半导体管芯上。嵌入可渗透粘附层中的凸块在沉积密封剂时减小第一半导体管芯的移位。载体被除去。互连结构形成在半导体管芯上。互连结构电连接到凸块。导热凸块形成在半导体管芯上,并且热沉被安装到互连结构并且热连接到导热凸块。
申请公布号 CN102244012B 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201110123619.8 申请日期 2011.05.13
申请人 新科金朋有限公司 发明人 R.A.帕盖拉;林耀剑;J.M.库
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 刘春元;卢江
主权项 一种制造半导体器件的方法,包括:提供载体;在载体上形成粘附层;提供包括多个凸块的第一半导体管芯,所述凸块形成在第一半导体管芯的表面上;通过将所述凸块嵌入到粘附层中来将第一半导体管芯安装到载体;在第一半导体管芯上沉积密封剂;除去载体和粘附层;以及在第一半导体管芯上形成互连结构。
地址 新加坡新加坡市