冗余金属填充方法和集成电路版图结构

摘要

本发明提供了一种冗余金属填充方法，在需要填充冗余金属的区域填充若干个冗余金属，所述若干个冗余金属中，包括第一冗余金属和第二冗余金属，每个第一冗余金属的填充面积大于每个第二冗余金属的填充面积，所述第二冗余金属位于所述第一冗余金属与所述区域的互连线之间。相应地，本发明还提供一种集成电路版图结构。采用本发明的填充冗余金属方法，实现集成电路版图厚度一致性的同时降低了集成电路互连线间电容的增加，能够确保芯片的功能不会因为冗余金属的引入而遭到破坏。在需要填充冗余金属的区域中填充面积大小不同的冗余金属，减少了冗余金属填充数量，能够降低其他运算数据量。

主权项

一种冗余金属填充方法，其特征在于，包括步骤：提供待填充集成电路版图，所述集成电路版图包括至少一个金属结构层；根据每个所述金属结构层的图形确定需要填充冗余金属的区域，所述区域分布有互连线；在所述区域填充若干个冗余金属，所述若干个冗余金属中，包括第一冗余金属和第二冗余金属，每个所述第一冗余金属的填充面积大于每个所述第二冗余金属的填充面积，所述第二冗余金属位于所述第一冗余金属与所述互连线之间；其中，所述根据每个所述金属结构层的图形确定互连线等效厚度与沉积厚度差大于设定值的区域为需要填充冗余金属的区域；所述互连线等效厚度等于沉积厚度减去金属碟形量再减去介质侵蚀量，其中，沉积厚度为集成电路版图制造时互连线的设计目标厚度。