主权项 |
基于脉冲激光设备的不同指令集的单粒子敏感性判定方法,其特征在于包括如下步骤:1)编制不同的测试指令集并通过半导体器件执行;所述测试指令集为p1,p2…pn,n为正整数;2)对执行不同测试指令集的半导体器件进行脉冲激光试验;3)得到不同测试指令集下半导体器件的单粒子敏感性,即基于脉冲激光试验得到的单粒子错误截面的大小σ<sub>nL</sub>;4)由错误截面大小推算出不同测试指令集的之间的关系系数<math><![CDATA[<mrow><msub><mi>α</mi><msup><mn>1</mn><mo>′</mo></msup></msub><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>σ</mi><mrow><mn>1</mn><mi>L</mi></mrow></msub><msub><mi>σ</mi><mrow><mn>1</mn><mi>L</mi></mrow></msub></mfrac><mo>,</mo><msub><mi>α</mi><msup><mn>2</mn><mo>′</mo></msup></msub><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>σ</mi><mrow><mn>2</mn><mi>L</mi></mrow></msub><msub><mi>σ</mi><mrow><mn>1</mn><mi>L</mi></mrow></msub></mfrac><mo>,</mo><msub><mi>α</mi><msup><mn>3</mn><mo>′</mo></msup></msub><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>σ</mi><mrow><mn>3</mn><mi>L</mi></mrow></msub><msub><mi>σ</mi><mrow><mn>1</mn><mi>L</mi></mrow></msub></mfrac><mo>,</mo><mo>...</mo><msub><mi>α</mi><msup><mi>n</mi><mo>′</mo></msup></msub><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>σ</mi><mrow><mi>n</mi><mi>L</mi></mrow></msub><msub><mi>σ</mi><mrow><mn>1</mn><mi>L</mi></mrow></msub></mfrac><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000856256570000011.GIF" wi="894" he="127" /></maths>5)改变脉冲激光能量,重复操作步骤2)‑步骤4),得到不同能量下的不同测试指令集之间的关系系数;6)当α<sub>1'</sub>,α<sub>1”</sub>,α<sub>1”'</sub>...相邻两两之间,α<sub>2'</sub>,α<sub>2”</sub>,α<sub>2”'</sub>...相邻两两之间,……α<sub>n'</sub>,α<sub>n”</sub>,α<sub>n”'</sub>...相邻两两之间的差值均小于20%,认为基于脉冲激光试验得到的这些比例系数有效,对其取平均值,即<math><![CDATA[<mrow><mtable><mtr><mtd><mrow><msub><mi>α</mi><mn>1</mn></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><msub><mi>α</mi><msup><mn>1</mn><mo>′</mo></msup></msub><mo>+</mo><msub><mi>α</mi><msup><mn>1</mn><mrow><mo>′</mo><mo>′</mo></mrow></msup></msub><mo>+</mo><msub><mi>α</mi><msup><mn>1</mn><mrow><mo>′</mo><mo>′</mo><mo>′</mo></mrow></msup></msub><mo>...</mo></mrow><mi>n</mi></mfrac><mo>,</mo></mrow></mtd><mtd><mrow><msub><mi>α</mi><mn>2</mn></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><msub><mi>α</mi><msup><mn>2</mn><mo>′</mo></msup></msub><mo>+</mo><msub><mi>α</mi><msup><mn>2</mn><mrow><mo>′</mo><mo>′</mo></mrow></msup></msub><mo>+</mo><msub><mi>α</mi><msup><mn>2</mn><mrow><mo>′</mo><mo>′</mo><mo>′</mo></mrow></msup></msub><mo>...</mo></mrow><mi>n</mi></mfrac></mrow></mtd></mtr></mtable><mo>...</mo><mo>...</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000856256570000012.GIF" wi="1109" he="127" /></maths><math><![CDATA[<mrow><msub><mi>α</mi><mi>n</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><msub><mi>α</mi><msup><mi>n</mi><mo>′</mo></msup></msub><mo>+</mo><msub><mi>α</mi><msup><mi>n</mi><mrow><mo>′</mo><mo>′</mo></mrow></msup></msub><mo>+</mo><mo>...</mo><msub><mi>α</mi><msup><mi>n</mi><mrow><mo>′</mo><mo>′</mo><mo>′</mo></mrow></msup></msub></mrow><mi>n</mi></mfrac><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000856256570000013.GIF" wi="462" he="118" /></maths>7)对某一测试指令集进行重离子试验,得到测试指令集的重离子辐照下的错误截面σ<sub>nH</sub>;8)根据步骤6)得到的关系系数α<sub>1</sub>,α<sub>2</sub>,α<sub>3</sub>...对半导体器件在不同测试指令集下的单粒子敏感性进行预估判定,得到σ<sub>2H'</sub>=σ<sub>1H</sub>×α<sub>2</sub>,σ<sub>3H'</sub>=σ<sub>1H</sub>×α<sub>3</sub>…;将实际重离子试验得到的σ<sub>2H</sub>,σ<sub>3H</sub>...与由关系系数预估判定得到的σ<sub>2H'</sub>,σ<sub>3H'</sub>...进行对比验证,其误差小于20%认定为本发明方法有效;继续进行判断,σ<sub>nH</sub>越大,判定半导体器件对单粒子翻转的敏感性越强。 |