发明名称 基于脉冲激光设备的不同指令集的单粒子敏感性判定方法
摘要 基于脉冲激光设备的不同测试指令集的单粒子敏感性判定方法,考虑器件不同测试指令集之间的差异性以及应用环境的多样性,通过在不同测试指令集下进行脉冲激光单粒子试验,可以得到不同测试指令集之间的单粒子敏感系数,然后只需要在重离子加速器下进行某一测试指令集的单粒子辐照试验,通过计算就可以判定其他测试指令集下的单粒子辐照试验结果。这一方法解决了重离子机时紧张等不足,利用脉冲激光的机时灵活,操作简便,获取数据方便的优点,能够较好的解决单粒子敏感性判定中遇到的难题。
申请公布号 CN105445640A 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201510825255.6 申请日期 2015.11.24
申请人 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 发明人 于春青;赵元富;范隆;岳素格;陈茂鑫;郑宏超;杜守刚;陈莉明;马建华;王煌伟;毕潇;姜柯;简贵胄;初飞
分类号 G01R31/265(2006.01)I 主分类号 G01R31/265(2006.01)I
代理机构 中国航天科技专利中心 11009 代理人 陈鹏
主权项 基于脉冲激光设备的不同指令集的单粒子敏感性判定方法,其特征在于包括如下步骤:1)编制不同的测试指令集并通过半导体器件执行;所述测试指令集为p1,p2…pn,n为正整数;2)对执行不同测试指令集的半导体器件进行脉冲激光试验;3)得到不同测试指令集下半导体器件的单粒子敏感性,即基于脉冲激光试验得到的单粒子错误截面的大小σ<sub>nL</sub>;4)由错误截面大小推算出不同测试指令集的之间的关系系数<math><![CDATA[<mrow><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mn>1</mn><mo>&prime;</mo></msup></msub><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>&sigma;</mi><mrow><mn>1</mn><mi>L</mi></mrow></msub><msub><mi>&sigma;</mi><mrow><mn>1</mn><mi>L</mi></mrow></msub></mfrac><mo>,</mo><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mn>2</mn><mo>&prime;</mo></msup></msub><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>&sigma;</mi><mrow><mn>2</mn><mi>L</mi></mrow></msub><msub><mi>&sigma;</mi><mrow><mn>1</mn><mi>L</mi></mrow></msub></mfrac><mo>,</mo><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mn>3</mn><mo>&prime;</mo></msup></msub><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>&sigma;</mi><mrow><mn>3</mn><mi>L</mi></mrow></msub><msub><mi>&sigma;</mi><mrow><mn>1</mn><mi>L</mi></mrow></msub></mfrac><mo>,</mo><mo>...</mo><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mi>n</mi><mo>&prime;</mo></msup></msub><mo>=</mo><mfrac><msub><mi>&sigma;</mi><mrow><mi>n</mi><mi>L</mi></mrow></msub><msub><mi>&sigma;</mi><mrow><mn>1</mn><mi>L</mi></mrow></msub></mfrac><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000856256570000011.GIF" wi="894" he="127" /></maths>5)改变脉冲激光能量,重复操作步骤2)‑步骤4),得到不同能量下的不同测试指令集之间的关系系数;6)当α<sub>1'</sub>,α<sub>1”</sub>,α<sub>1”'</sub>...相邻两两之间,α<sub>2'</sub>,α<sub>2”</sub>,α<sub>2”'</sub>...相邻两两之间,……α<sub>n'</sub>,α<sub>n”</sub>,α<sub>n”'</sub>...相邻两两之间的差值均小于20%,认为基于脉冲激光试验得到的这些比例系数有效,对其取平均值,即<math><![CDATA[<mrow><mtable><mtr><mtd><mrow><msub><mi>&alpha;</mi><mn>1</mn></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mn>1</mn><mo>&prime;</mo></msup></msub><mo>+</mo><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mn>1</mn><mrow><mo>&prime;</mo><mo>&prime;</mo></mrow></msup></msub><mo>+</mo><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mn>1</mn><mrow><mo>&prime;</mo><mo>&prime;</mo><mo>&prime;</mo></mrow></msup></msub><mo>...</mo></mrow><mi>n</mi></mfrac><mo>,</mo></mrow></mtd><mtd><mrow><msub><mi>&alpha;</mi><mn>2</mn></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mn>2</mn><mo>&prime;</mo></msup></msub><mo>+</mo><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mn>2</mn><mrow><mo>&prime;</mo><mo>&prime;</mo></mrow></msup></msub><mo>+</mo><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mn>2</mn><mrow><mo>&prime;</mo><mo>&prime;</mo><mo>&prime;</mo></mrow></msup></msub><mo>...</mo></mrow><mi>n</mi></mfrac></mrow></mtd></mtr></mtable><mo>...</mo><mo>...</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000856256570000012.GIF" wi="1109" he="127" /></maths><math><![CDATA[<mrow><msub><mi>&alpha;</mi><mi>n</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mi>n</mi><mo>&prime;</mo></msup></msub><mo>+</mo><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mi>n</mi><mrow><mo>&prime;</mo><mo>&prime;</mo></mrow></msup></msub><mo>+</mo><mo>...</mo><msub><mi>&alpha;</mi><msup><mi>n</mi><mrow><mo>&prime;</mo><mo>&prime;</mo><mo>&prime;</mo></mrow></msup></msub></mrow><mi>n</mi></mfrac><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0000856256570000013.GIF" wi="462" he="118" /></maths>7)对某一测试指令集进行重离子试验,得到测试指令集的重离子辐照下的错误截面σ<sub>nH</sub>;8)根据步骤6)得到的关系系数α<sub>1</sub>,α<sub>2</sub>,α<sub>3</sub>...对半导体器件在不同测试指令集下的单粒子敏感性进行预估判定,得到σ<sub>2H'</sub>=σ<sub>1H</sub>×α<sub>2</sub>,σ<sub>3H'</sub>=σ<sub>1H</sub>×α<sub>3</sub>…;将实际重离子试验得到的σ<sub>2H</sub>,σ<sub>3H</sub>...与由关系系数预估判定得到的σ<sub>2H'</sub>,σ<sub>3H'</sub>...进行对比验证,其误差小于20%认定为本发明方法有效;继续进行判断,σ<sub>nH</sub>越大,判定半导体器件对单粒子翻转的敏感性越强。
地址 100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号