| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在部分衬底上形成第一半导体层，在衬底及第一半导体层上形成第二半导体层，衬底上形成有第一隔离；以第一半导体层之上的第二半导体层为有源区形成器件结构；在第一半导体层之上的第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除第一半导体层，以形成空腔；在空腔及刻蚀孔中填充介质材料，以分别形成埋层及绝缘孔；在栅极两侧、第一隔离与埋层之间的衬底上形成器件结构的第二隔离。本发明可以通过体衬底实现SOI器件，同时，埋层的厚度可以通过形成的第一半导体层的厚度来调节，满足不同器件的需求，工艺简单易行。 | ||
| 申请公布号 | CN105448992A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410480137.1 | 申请日期 | 2014.09.18 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 徐烨锋;闫江;唐兆云;唐波;许静 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;逢京喜 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在部分衬底上形成第一半导体层，在衬底及第一半导体层上形成第二半导体层，衬底上形成有第一隔离；以第一半导体层之上的第二半导体层为有源区形成器件结构；在第一半导体层之上的第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除第一半导体层，以形成空腔；在空腔及刻蚀孔中填充介质材料，以分别形成埋层及绝缘孔；在栅极两侧、第一隔离与埋层之间的衬底上形成器件结构的第二隔离。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||