| 摘要 |
Транзисторная гетероструктура типа Р-НЕМТ с варизонным барьером AlGaAs, включающая в себя монокристаллическую полуизолирующую подложку GaAs, буферный слой GaAs, квантовую яму/канал InGaAs, спейсерный слой AlGaAs, дельта-слой доноров, барьерный слой AlGaAs, контактный слой n-GaAs, отличающаяся тем, что в барьерном слое AlGaAs содержание мольной доли х(Al) изменяется по линейному закону от x=х+0,05÷0,2 в области примыкания квантовой ямы, до х=х-0,05÷0,2 в области примыкания к контактному слою n-GaAs, где x- мольная доля алюминия в исходной структуре с однородным составом, равная 20÷30%. |
