| 摘要 |
본 발명의 목적은 레이저를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공하는데 있다. 이를 위하여, 본 발명은 게이트 전극층을 포함하는 기판상에 절연층을 형성하는 단계(단계 1); 상기 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계(단계 2); 및 상기 산화물 반도체층에 레이저를 조사하여 상기 산화물 반도체층의 적어도 일부는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계(단계 3)을 포함하는 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 레이저를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법으로 제조된 박막 트랜지스터를 제공한다. 본 발명에서는 단일 레이저를 조사하는 공정으로 다층(Multilayer) 전자 소자를 제공할 수 있다. 또한, 기존의 다수의 공정 단계를 단순화하여 비용을 절감할 수 있다. 또한, 절연층 및 산화물 반도체층에 포함된 나노입자의 농도와 용매, 조사하는 레이저의 에너지를 조절하여 박막 트랜지스터의 넓이 및 두께를 조절할 수 있으며, 대기중에서 공정이 가능하다. 나아가, 금속 산화물의 결합 에너지 차이 및 용매의 선정에 따라서 다양한 재료에 적용이 가능하며, 박막 트랜지스터뿐만 아니라, FPCB(Flexible printed circuit boad), 슈퍼 커패시터(Super capacitor), 배터리 등의 적층형 전자소자의 제작에 적용할 수 있다. |
