用于激光器的全介质反射膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种制作工艺连续、制作成本较低且便于制作的用于激光器的全介质反射膜及其制备方法。本发明所述的用于激光器的全介质反射膜采用折射率为2.5-4.5的硅化物膜层制作成高折射率膜层，采用折射率为1.4-2.1的硅化物膜层制作成低折射率膜层，高折射率膜层和低折射率膜层都是采用硅化物膜层，不同的硅化物膜层只需通过气相掺杂的方法向反应腔中通入掺杂气体实现掺杂以得到折射率不同的硅化物膜层，该反射膜在结构上只采用了硅化物作为膜层材料，采用这种结构的反射膜在制备全程都采用成熟的PECVD技术一次成膜，整个制备工作一次成型，具有工艺连续、一次成膜的优点。适合在光器件领域推广应用。

主权项

用于激光器的全介质反射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、对衬底进行清洁处理；B、将衬底放入PECVD反应室中，并抽真空至10^‑4Pa以下；C、采用PECVD化学气相沉积技术在衬底上表面沉积一层折射率为2.5‑4.5的硅化物膜层；D、使用氮气清洗PECVD反应室内残余SiH₄后通入氦气，打开射频电源改善由步骤C形成的膜层表面形貌，改善完毕后停止通入氦气；E、采用PECVD化学气相沉积技术在经过步骤D处理的硅化物膜层上表面沉积一层折射率为1.4‑2.1的硅化物膜层；F、使用氮气清洗PECVD反应室内残余SiH₄后通入氦气，打开射频电源改善由步骤E形成的膜层表面形貌，改善完毕后停止通入氦气；G、重复步骤C至F形成由多层硅化物膜层组成的反射膜。