一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法

摘要

本发明公开一种可控制备正交相硫化亚锡(SnS)二维单晶纳米片的方法。该方法包括将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心8-20cm，将SnS粉末放入耐高温容器中，将容器置于水平管式炉的加热中心；对管式炉抽真空，待炉内压强降至0.1Pa时，充入不活泼气体使管式炉腔内压强回到20-300Torr，并保持气体流速在20-200sccm间；将水平管式炉加热中心升温至600-800℃，反应时间为5-30分钟，待管式炉腔内温度自然降温到室温后，取出衬底，衬底表面即生长有硫化亚锡二维单晶纳米片。该法操作简单、成本较低、可控性较强，获得的SnS具有尺寸大、均匀性好、结晶度高等优点，在场效应晶体管、光电探测器、光催化制氢、锂离子电池等领域中具有重要的研究价值和广泛的应用前景。

主权项

一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)选取具有原子级平整光滑的衬底作为SnS的生长衬底；2)将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心8‑20cm，将SnS粉末放入耐高温容器中，将耐高温容器置于水平管式炉的加热中心；3)对管式炉抽真空，待炉内压强降至0.1Pa时，充入不活泼气体使管式炉腔内压强回到一定真空环境，并保持不活泼气体流速在20‑200sccm间；4)将水平管式炉加热中心升温至600‑800℃，升温速率保持为5‑20℃/min间，反应时间为5‑30分钟；5)反应结束后，待管式炉腔内温度自然降温到室温后，取出衬底，衬底表面即生长SnS二维单晶纳米片。