发明名称 |
LED外延片及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种LED外延片及其制备方法,该LED外延片包括从下至上依序设置的衬底、低温缓冲GaN层、不掺杂GaN层、N型GaN层、多周期量子阱层、P型AlGaN层和P型GaN层。多周期量子阱层包括6~14个周期的In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层/GaN层,在任一周期内,GaN层设置于In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层上,In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层的下方设有InN薄层,InN薄层的厚度为0.2~1nm,x为0.20~0.22。InN薄层可使得In原子在到达In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层之前就达到动态饱和平衡,减少了In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层中In的偏析现象,从而降低量子斯塔克效应导致的电子和空穴波函数的分离程度,以提高LED的内量子效率。 |
申请公布号 |
CN105428478A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201510833966.8 |
申请日期 |
2015.11.24 |
申请人 |
湘能华磊光电股份有限公司 |
发明人 |
林传强;苗振林;卢国军 |
分类号 |
H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/06(2010.01)I |
代理机构 |
长沙智嵘专利代理事务所 43211 |
代理人 |
李杰 |
主权项 |
一种LED外延片,其特征在于,包括从下至上依序设置的衬底(10)、低温缓冲GaN层(20)、不掺杂GaN层(30)、N型GaN层(40)、多周期量子阱层(50)、P型AlGaN层(60)和P型GaN层(70);所述多周期量子阱层(50)包括6~14个周期的In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层(52)/GaN层(53),在任一周期内,从下至上依次设有InN薄层(51)、In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层(52)和GaN层(53),所述InN薄层(51)的厚度为0.2~1nm,x为0.20~0.22。 |
地址 |
423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘有色金属产业园区 |