| 主权项 |
一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括：一衬底；一第一方向上的条状下电极，所述下电极设置在衬底上，所述第一方向是指平面内任一方向；一下电热绝缘层，该下电热绝缘层设置在有所述下电极的所述衬底上；其中所述下电热绝缘层中间有一个或多个小孔，小孔底部为下电极；一下n型半导体材料插塞柱，所述下n型半导体材料插塞柱位于所述下电热绝缘层包裹的所述小孔中，所述下n型半导体材料插塞柱底部形成与所述下电极顶部；一下p型存储材料插塞柱，所述下p型存储材料插塞柱位于所述下电热绝缘层包裹的所述小孔中，所述下p型存储材料插塞柱底部形成于所述下n型半导体材料插塞柱顶部；一与第一方向垂直并在同一所述平面内的第二方向上的条状次层电极，该次层电极层设置在所述下电热绝缘层上，所述中间电极设置在所述下p型存储材料插塞柱的顶部；设置在包括所述次层电极层的所述下热绝缘层上多个中间层，所述中间层的数量为包括零的正整数，所述中间层的结构如下：一中间电热绝缘层，该中间电热绝缘层设置在有下方相邻电极的下方相邻电热绝缘层上，其中所述中间电热绝缘层中间有一个或多个小孔，且该中间电热绝缘层中的小孔底部为所述下方相邻电极，一中间p型存储材料插塞柱，所述中间p型存储材料插塞柱位于所述中间电热绝缘层包裹的小孔中，所述中间p型存储材料插塞柱底部设置在所述下方相邻电极顶部，一中间n型半导体材料插塞柱，所述中间n型半导体材料插塞柱位于所述中间电热绝缘层包裹的小孔中，所述中间n型半导体材料插塞柱底部设置在所述中间p型存储材料插塞柱顶部，一与下方相邻条状电极方向垂直方向上的条状中间电极，该中间电极设置在所述中间电热绝缘层上，所述中间电极设置在所述中间n型半导体材料插塞柱顶部；一上电热绝缘层，该上电热绝缘层设置在有下方相邻电极的下方相邻电热绝缘层上；其中所述上电热绝缘层中间有一个或多个小孔，且该上电热绝缘层中的小孔底部为所述中间电极；一上p型存储材料插塞柱，所述上p型存储材料插塞柱位于所述上电热绝缘层包裹的小孔中，所述上p型存储材料插塞柱底部设置在所述下方相邻电极顶部；一上n型半导体材料插塞柱，所述上n型半导体材料插塞柱位于所述上电热绝缘层包裹的小孔中，所述上n型半导体材料插塞柱底部设置在所述上p型存储材料插塞柱顶部；一与下方相邻条状电极方向垂直方向上的的条状上电极，该上电极层设置在所述上电热绝缘层上，所述上电极设置在所述上n型半导体材料插塞柱顶部。 |
