用以促进接合之重调节半导体表面之方法

摘要

明揭示促进诸如矽晶圆之半导体组件的接合之非磨蚀方法，该等半导体组件具有微结构缺陷于接合介面表面上。在较佳的方法中，微结构缺陷系藉由形成氧化物层于该接合介面表面上，至低于该缺陷之位准的深度，且然后，去除该氧化物层以暴露出用于接合之合适表面，藉以增加线产能且降低制造设施中的废品起因。

主权项

一种具有微结构缺陷之半导体装置表面的重调节方法，包含：a)识别表面中的微结构缺陷；a1)清洁该表面；以及b)使用湿式化学方法以自该表面去除材料至低于该微结构缺陷的最大深度之深度。