发明名称 |
电力储存装置及其制造方法 |
摘要 |
提供一种制造电力储存装置的方法,其中包含须状结晶矽区的结晶矽层系被形成作为作动材料层在电流收集器之上,其藉由一低压CVD法,其中加热系使用含矽之沈积气体执行。电力储存装置包含电流收集器、形成在电流收集器上之混合层、及作动为作动材料层的结晶矽层形成在混合层之上。结晶矽层包含结晶矽区及须状结晶矽区,其包含有多数突出部,突出于该结晶矽区上。以该等突出部,可以增加操作为作动材料层的结晶矽层的表面积。 |
申请公布号 |
TWI527297 |
申请公布日期 |
2016.03.21 |
申请号 |
TW100113546 |
申请日期 |
2011.04.19 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
栗城和贵;汤川干央;浅野裕治 |
分类号 |
H01M4/1395(2010.01);H01M4/134(2010.01);H01M4/38(2006.01);H01M4/66(2006.01);H01M4/74(2006.01) |
主分类号 |
H01M4/1395(2010.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种制造电极的方法,包含:藉由低压CVD法,使用含矽的沈积气体作为来源气体,在电流收集器上,形成作动材料层,使得混合层被形成在该电流收集器与该作动材料层之间,该作动材料层包含矽层及多数须状矽突出部在该矽层之上;其中该电流收集器包含金属元素,其系藉由与在该电流收集器的表面区域上的矽反应,而形成矽化物,其中该金属元素为由锆、钛、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、钴、及镍所构成的群组中选出,及其中该混合层包含矽与该金属元素。
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地址 |
日本 |