半导体装置及其制造方法

摘要

明的目的之一是对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。在使用氧化物半导体膜的电晶体中，形成接触于氧化物半导体膜并且覆盖源极电极及汲极电极的用来防止带电的金属氧化膜，并进行加热处理。藉由该加热处理，从氧化物半导体膜意图性地排除氢、水分、羟基或者氢化物等杂质，以实现氧化物半导体膜的高纯度化。此外，藉由设置金属氧化膜，可以防止在电晶体中的氧化物半导体膜的背通道侧产生寄生通道。

主权项

一种半导体装置，包括：闸极电极；覆盖该闸极电极的闸极绝缘膜；包括氧化物半导体的半导体膜，其中该半导体膜的区域与该闸极电极重叠；与该半导体膜接触的源极电极及汲极电极；与该半导体膜接触并覆盖该源极电极及该汲极电极的金属氧化膜；覆盖该金属氧化膜的绝缘膜；该绝缘膜上的导电膜，其中该导电膜与该半导体膜的该区域重叠；包含像素电极的液晶元件，其中该像素电极与该源极电极及该汲极电极中的一者电连接；以及存储电容器，其中该半导体膜的氢浓度为5×1018atoms/cm3以下，其中该金属氧化物膜的厚度为大于该半导体膜的厚度，且其中该存储电容器的电容为该液晶元件的电容的三分之一以下。