| 摘要 |
Vorrichtung (1) zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Halbleitersubstraten, mit einem Prozessraum (3, 5, 7), der von zum Halbleitersubstrat im Wesentlichen parallelen ersten Wänden (23, 25), und wenigstens einer seitlichen, mit den ersten Wänden verbundenen zweiten Wand (27, 29) begrenzt ist, einer im Prozessraum angeordneten Substrathalteeinrichtung (13), die einen Substrataufnahmebereich (15) für ein scheibenförmiges Halbleitersubstrat im Prozessraum definiert, Aufheizelementen (9, 11), die im Prozessraum (3, 5, 7) zwischen wenigstens einer der ersten Wände (23, 25) und dem Substrataufnahmebereich (15) angeordnet sind, und wenigstens einer Blende (31, 32) zwischen dem Substrataufnahmebereich (15) und den Aufheizelementen (9, 11), die die von den Aufheizelementen (9, 11) in Richtung des Substrataufnahmebereichs (15) emittierte Strahlung begrenzt, dadurch gekennzeichnet, dass die dem Substrataufnahmebereich (15) zugewandte Seite wenigstens einer Blende (31, 32) eine reflektierende Oberfläche aufweist, die einen Teil der vom äußeren Bereich des Halbleitersubstrats emittierten Strahlung auf den äußeren Bereich des Halbleitersubstrats zurück reflektiert, und dass wenigstens eine der Blenden (31, 32) im Strahlengang zwischen Aufheizelementen (9, 11) und Substrataufnahmebereich (15) so angeordnet ist, dass ein Wandabschnitt (38, 39) auf der wenigstens einen zweiten Wand (27, 29) zwischen Substrataufnahmebereich (15) und Blende (31, 32) zumindest teilweise von der die Blende (31, 32) in Richtung Substrataufnahmebereich (15) passierenden direkten Strahlung der Aufheizelemente (9, 11) abgeschirmt ist. |
