半导体装置及其制造方法

摘要

制造具有第一区、第二区以及所述第一区与所述第二区之间的第三区的半导体装置的方法包含：分别在所述第一区以及所述第二区中形成自基板凸起的第一初步主动图案以及第二初步主动图案，在所述基板上形成暴露所述第三区的遮罩图案，将所述遮罩图案蚀刻遮罩来执行第一蚀刻制程以分别形成第一主动图案以及第二主动图案，以及在所述基板上形成闸极结构。

主权项

一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有第一区、第二区以及所述第一区与所述第二区之间的第三区，所述方法包括： 提供跨越所述第一区、第二区以及第三区的基板； 在所述基板上形成第一初步主动图案以及第二初步主动图案，使得所述第一初步主动图案以及所述第二初步主动图案自所述基板凸起，所述第一初步主动图案自所述第一区延伸至所述第三区以便在所述第三区中与所述基板重叠，且所述第二初步主动图案自所述第二区延伸至所述第三区以便亦在所述第三区中与所述基板重叠； 在所述基板上于所述第一区以及所述第二区而非所述第三区中形成遮罩图案，藉此使所述基板暴露于所述第三区中； 执行第一蚀刻制程，所述第一蚀刻制程包括将所述遮罩图案用作蚀刻遮罩来蚀刻所述第一初步主动图案以及所述第二初步主动图案，以分别自所述第一初步主动图案以及所述第二初步主动图案形成第一主动图案以及第二主动图案；以及 在所述基板上形成闸极结构，所述闸极结构包括与所述第一主动图案交叉的第一闸极结构以及与所述第二主动图案交叉的第二闸极结构， 其中所述第一主动图案在第一方向上纵向延伸且在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开， 所述第二主动图案在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此间隔开， 所述第一方向横跨所述第一区、第二区以及第三区延伸，且 在所述第二方向上，所述第一主动图案中的邻近者之间的距离不同于所述第二主动图案中的邻近者之间的距离。