| 发明名称 | 电荷存储设备、其制备方法、其导电结构的制备方法、使用其的移动电子设备以及包含其的微电子设备 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，电荷存储设备包括通过分离器(130)相互分离的第一(110)和第二(120)导电结构。所述第一和第二导电结构中的至少一个包括包含多个通道(111、121)的多孔结构。所述通道中的每一个具有位于所述多孔结构的表面(115，125)上的开口(112、122)。在另一实施例中，所述电荷存储设备包括多个纳米结构(610)和与至少一些纳米结构物理接触的电解质(650)。介电常数至少为3.9的材料(615)可以设置在所述电解质与所述纳米结构之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102906834B | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201080066031.7 | 申请日期 | 2010.04.02 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | D·S·加德纳;E·C·汉娜;R·陈;J·L·古斯塔夫松 |
| 分类号 | H01G4/005(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/005(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种电荷存储设备，包括：通过电绝缘体相互分离的第一导电结构和第二导电结构；其中：所述第一导电结构和所述第二导电结构中的至少一个包括包含多个通道的多孔结构；所述多个通道中的每一个都具有位于所述多孔结构的表面上的开口；并且所述电荷存储设备进一步包括设置在所述多孔结构的所述多个通道中的至少一些通道中的纳米结构。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||