| 发明名称 | 抛光组合物及抛光钴膜的方法 | ||
| 摘要 | 本公开涉及抛光组合物及抛光钴膜的方法。本公开涉及能够抛光半导体基底中的钴(Co)膜的抛光组合物，所述基底包含包括Co、金属、金属氧化物及电介质材料的多层膜。这些抛光组合物包含磨料、起去除速率增强剂(RRE)作用的弱酸、pH调节剂及包含吡咯的腐蚀抑制剂(CI)。RRE、pH调节剂及CI的pKa在1-18范围内(1(pKa<sub>min</sub>)＜pKa＜18(pKa<sub>max</sub>))。各组分的pKa值与抛光组合物/浆料(pH<sub>浆料</sub>)通过下式相关联：pKa<sub>min</sub>+6＜pH<sub>浆料</sub>＜pKa<sub>max</sub>-6。抛光组合物还含有小于约100份每百万份(ppm)的硫酸根离子和小于约100ppm的卤素离子，并且工作在7至12的pH范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN105400434A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201510552487.9 | 申请日期 | 2015.09.01 |
| 申请人 | 富士胶片平面解决方案有限公司 | 发明人 | 汪璐玲;阿布达亚·米什拉;迪帕克·马胡利卡尔;理查德·文 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;董文国 |
| 主权项 | 一种用于抛光含钴材料的抛光组合物，包含：a)磨料；b)弱酸去除速率增强剂；c)包含吡咯的腐蚀抑制剂；以及d)pH调节剂；其中所述去除速率增强剂、所述腐蚀抑制剂和所述pH调节剂各自的pKa在1至18之间，并且其中所述组合物的pH在7至12之间，并且其中所述组合物含有基于所述组合物的总重量各自为小于约100份每百万份的硫酸根离子和小于约100份每百万份的卤素离子。 | ||
| 地址 | 美国密歇根州 | ||